產(chǎn)品分類
SiC籽晶粘接設(shè)備
所屬分類：
SiC單晶生長設(shè)備
概要：
本設(shè)備是將SiC籽晶通過有機膠粘接在石墨上。提高籽晶粘接質(zhì)量是保證高 品質(zhì)SiC晶體生長的首要前提。
關(guān)鍵詞：
SiC籽晶粘接設(shè)備
SiC籽晶粘接設(shè)備
產(chǎn)品概述/Product Introduction：
本設(shè)備是將SiC籽晶通過有機膠粘接在石墨上。提高籽晶粘接質(zhì)量是保證高 品質(zhì)SiC晶體生長的首要前提。
The equipment is to bond SiC seed crystals to graphite by means of an organic adhesive.Improving the bonding quality of seed crystals is the primary prerequisite to ensure the growth of high quality Sic crystals.
產(chǎn)品特點/Product Characteristics：
- 晶圓尺寸:6-8英寸 Nafer size: 6-8 inches
- 溫度范圍:溫度200-800℃，溫度均勻性±2℃ Temperature 200-800 C, temperature uniformity±2 C
- 壓力:最大2萬N，力均勻性＜±1% Pressure Maximum 20,000 N,Force Uniformity<±1%
- 真空度:≤10Pa Vacuum pressure:≤10Pa
- 壓頭:柔性壓頭/硬性壓頭 Indenter: Flexible indenter/rigid indenter
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PVT法長晶爐——電阻爐
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