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本設(shè)備主要是用于制備單晶金剛石?？杉ぐl(fā)高穩(wěn)定度的等離子團(tuán)，從而確保單晶生長(zhǎng)的持續(xù)性，為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。
本設(shè)備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長(zhǎng)（無(wú)銥法），將原料放在垂直的坩堝內(nèi)， 然后從坩堝尖端開(kāi)始通過(guò)預(yù)設(shè)好的溫度梯度區(qū)作定向凝固。通過(guò)緩慢降溫而生長(zhǎng)出單晶。
本設(shè)備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長(zhǎng)；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長(zhǎng)。
本設(shè)備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長(zhǎng)；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長(zhǎng)。
本設(shè)備主要用于砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物晶體生長(zhǎng)。設(shè)備由機(jī)架、安瓿支撐機(jī)構(gòu)、加熱器和控制系統(tǒng)組成，能夠?qū)崿F(xiàn)安瓿移動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)的精確控制。
本設(shè)備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長(zhǎng)，將原料放在留有狹縫的模具中，熔液借虹吸作 用上升到模具頂部，受籽晶誘導(dǎo)結(jié)晶生長(zhǎng)成單晶。