山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示


SiC高溫氧化設(shè)備

? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的氧化處理,可實(shí)現(xiàn)SiC片在高溫真空環(huán)境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N2O、NO、NO2,是最安全的毒性氣體氧化爐 ? 設(shè)備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié) ? 加熱腔與工藝腔獨(dú)立密閉設(shè)計(jì),提供工藝腔的潔凈度

SiC高溫退火設(shè)備

? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的離子激活和退火處理,可實(shí)現(xiàn)SiC片在高溫真空環(huán)境下完成活性工藝 ? 設(shè)備適用于SiC基功率器件制造中的離子激活和退火工藝環(huán)節(jié) ? 加熱腔與工藝腔獨(dú)立密閉設(shè)計(jì),提供工藝腔的潔凈度

LPCVD 臥式

? LPCVD設(shè)備是半導(dǎo)體集成電路制造的重要設(shè)備之一, 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長,它是將原材料氣體(或者液態(tài)源氣化)用熱能激活發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而在基片表面生成固體薄膜,LPCVD過程是在低壓下進(jìn)行的,由于氣壓低,氣體分子平均自由程大,使生長的薄膜均勻性好,此外基片可以豎放使得設(shè)備裝片量大,特別適用于工業(yè)化生產(chǎn)

LPCVD 立式爐管設(shè)備

? LPCVD設(shè)備是半導(dǎo)體集成電路制造的重要設(shè)備之一, 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長,它是將原材料氣體(或者液態(tài)源氣化)用熱能激活發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而在基片表面生成固體薄膜,LPCVD過程是在低壓下進(jìn)行的,由于氣壓低,氣體分子平均自由程大,使生長的薄膜均勻性好,此外基片可以豎放使得設(shè)備裝片量大,特別適用于工業(yè)化生產(chǎn)

PECVD 臥式

? PECVD主要應(yīng)用于氧化硅(SiO?) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生長,工作原理是在低壓引入高頻射頻電源,采取電容耦合方式使工藝氣體電離放電,形成等離子體狀態(tài),產(chǎn)生大量的活性基團(tuán),這些活性基團(tuán)在襯底材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并沉積到襯底表面,生長出氧化硅(SiO?) 或氮化硅(SiN4) 薄膜

氧化/擴(kuò)散合金爐管設(shè)備

? 該設(shè)備是半導(dǎo)體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設(shè)備之一,用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的擴(kuò)散、氧化、退火、合金和燒結(jié)等工藝 ? 設(shè)計(jì)了硅片生產(chǎn)的多種工藝性能需要,具有生長效率高、產(chǎn)品性能優(yōu)越的特點(diǎn) ? 具有污染低、占地面積小、溫度均勻、可裝載晶圓尺寸大、工藝穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn) ? 主要用于初始氧化層、屏蔽氧化層、襯墊氧化層、犧牲氧化層、場氧化層等多種氧化介質(zhì)層的制備工藝

真空退火設(shè)備

◆ 主要用于半導(dǎo)體器件退火及燒結(jié)等工藝,可進(jìn)行真空、氣體保護(hù)等 ◆ 設(shè)備結(jié)構(gòu)新穎,操作方便 ◆ 在一臺設(shè)備上可以完成多個工藝流程

LPE外延爐

◆ 氣相外延是一種單晶薄層生長方法 ◆ 氣相外延廣義上是化學(xué)氣相沉積的一種特殊方式,其生長薄層的晶體結(jié)構(gòu)是單晶襯底的延續(xù),而且與襯底的晶向保持對應(yīng)的關(guān)系 ◆ 在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中,氣相外延發(fā)揮了重要作用 ◆ 砷化蹤(GaAs)氣相外延技術(shù)生長的砷化鯨(GaAs)純度高、電學(xué)特性好,廣泛的應(yīng)用于霍爾器件、耿氏二極管、場效應(yīng)晶體管等微波器件中

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