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LPE外延爐


所屬分類:

第一代半導體工藝設(shè)備


概要:

◆ 氣相外延是一種單晶薄層生長方法 ◆ 氣相外延廣義上是化學氣相沉積的一種特殊方式,其生長薄層的晶體結(jié)構(gòu)是單晶襯底的延續(xù),而且與襯底的晶向保持對應的關(guān)系 ◆ 在半導體科學技術(shù)的發(fā)展中,氣相外延發(fā)揮了重要作用 ◆ 砷化蹤(GaAs)氣相外延技術(shù)生長的砷化鯨(GaAs)純度高、電學特性好,廣泛的應用于霍爾器件、耿氏二極管、場效應晶體管等微波器件中


關(guān)鍵詞:

LPE外延爐



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